规格书 |
|
标准包装 |
5,040 |
FET 型
|
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 |
Standard |
漏极至源极电压(VDSS) |
800V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C |
1A |
Rds(最大)@ ID,VGS |
20 Ohm @ 500mA, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id |
5V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS |
7.2nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 |
195pF @ 25V |
功率 - 最大 |
2.5W |
安装类型
|
Through Hole |
包/盒
|
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 |
I-Pak |
包装材料
|
Tube |
包装 |
3IPAK |
通道模式 |
Enhancement |
最大漏源电压 |
800 V |
最大连续漏极电流 |
1 A |
RDS -于 |
20000@10V mOhm |
最大门源电压 |
±30 V |
典型导通延迟时间 |
10 ns |
典型上升时间 |
25 ns |
典型关闭延迟时间 |
15 ns |
工作温度 |
-55 to 150 °C |
安装 |
Through Hole |
标准包装 |
Rail / Tube |
最大门源电压 |
±30 |
包装宽度 |
2.3 |
PCB |
3 |
最大功率耗散 |
2500 |
最大漏源电压 |
800 |
欧盟RoHS指令 |
Compliant |
最大漏源电阻 |
20000@10V |
每个芯片的元件数 |
1 |
最低工作温度 |
-55 |
供应商封装形式 |
IPAK |
标准包装名称 |
IPAK |
最高工作温度 |
150 |
渠道类型 |
N |
包装长度 |
6.6 |
引脚数 |
3 |
包装高度 |
6.1 |
最大连续漏极电流 |
1 |
封装 |
Rail |
标签 |
Tab |
FET特点 |
Standard |
安装类型 |
Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C |
1A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id |
5V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) |
800V |
供应商设备封装 |
I-Pak |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS |
20 Ohm @ 500mA, 10V |
FET型 |
MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 |
2.5W |
输入电容(Ciss ) @ VDS |
195pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS |
7.2nC @ 10V |
封装/外壳 |
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
RoHS指令 |
Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 |
70 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage |
800 V |
晶体管极性 |
N-Channel |
封装/外壳 |
TO-251-3 |
Vgs - Gate-Source Voltage |
30 V |
类型 |
MOSFET |
下降时间 |
25 ns |
品牌 |
Fairchild Semiconductor |
通道数 |
1 Channel |
配置 |
Single |
最高工作温度 |
+ 150 C |
晶体管类型 |
1 N-Channel |
正向跨导 - 闵 |
0.75 S |
Id - Continuous Drain Current |
1 A |
长度 |
6.8 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance |
20 Ohms |
RoHS |
RoHS Compliant By Exemption |
系列 |
FQU1N80 |
身高 |
6.3 mm |
安装风格 |
Through Hole |
最低工作温度 |
- 55 C |
Pd - Power Dissipation |
2.5 W |
上升时间 |
25 ns |
技术 |
Si |